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120V SGT工艺N-Channel MOSFET
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产品介绍 1.采用pg娱乐电子游戏appSGT特殊工艺制程，根据电机驱动和电源应用要求，优化导通内阻（Rdson)和 栅极电荷（Qg)性能，降低导通损耗和开关损耗，提升系统效率；
2.解决高速Gan电源应用时di/dt大带来的副边电压尖峰高的问题，提升产品整体的可靠性。
产品特点 1.采用pg娱乐电子游戏appSGT特殊工艺制程设计，具有更高的工艺稳定性和可靠性；
2.系列产品具有更快的开关速度，更小的栅电荷和更高的应用效率；
3.采用PDFN5060封装，更好的热阻特性。
规格书

YJG88G12A

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